DB하이텍 CI. [사진=DB하이텍]

[디지털데일리 고성현기자] DB하이텍이 8인치 웨이퍼 기반 1200V 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 공정의 신뢰성 검증을 완료했다. 공정설계키트(PDK) 제공과 고객사 검증을 확대해 2027년부터 8인치 SiC 파운드리 양산에 나선다는 계획이다.

DB하이텍은 9일 8인치 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증을 마치고 2027년 양산을 목표로 파운드리 사업을 본격화한다고 밝혔다.

SiC는 기존 실리콘(Si)보다 고온·고전압 환경에서 우수한 특성을 갖는 차세대 전력반도체 소재다. 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력기기 등에 주로 활용된다.

현재 SiC 시장은 6인치 웨이퍼 중심이지만 생산효율과 원가 경쟁력 향상을 위해 글로벌 업체들의 8인치 전환이 진행되고 있다. DB하이텍도 이에 맞춰 8인치 SiC 공정 기술과 파운드리 서비스를 개발해왔다.

DB하이텍은 이번에 설계부터 제조, 특성평가, 신뢰성 검증까지 지원할 수 있는 8인치 1200V SiC MOSFET 일괄공정을 구축했다고 설명했다. 현재 자체 개발한 1세대와 2세대 1200V SiC MOSFET PDK를 고객사에 제공하고 있으며 오는 11월에는 3세대 PDK를 추가로 출시할 예정이다.

PDK는 반도체 설계에 필요한 공정 규칙과 소자 모델 등을 제공하는 설계 도구다. 고객사는 이를 활용해 초기 개발 부담을 줄이고 프로토타입 제작 기간을 단축할 수 있다. DB하이텍은 제품 개발 기간을 1년 이상 줄일 수 있을 것으로 보고 있다.

2세대 공정은 게이트 전압 18V 조건에서 비저항(Rsp) 2.5mΩ·㎠ 이하, 문턱전압(Vth) 3V 이상의 특성을 구현했다. 신뢰성 검증도 완료했다.

오는 11월 공개할 3세대 공정은 같은 게이트 전압 조건에서 비저항 2.3mΩ·㎠ 이하를 목표로 한다. 단락안전동작영역(SCSOA)에서는 단락 내량시간(SCWT) 2.5마이크로초(μs) 이상의 특성을 확보하는 것을 목표로 검증을 진행 중이다.

DB하이텍은 올해 3분기 중 기존 파운드리 고객을 대상으로 우선 적용을 위한 공정 준비를 마칠 계획이다. 2027년 2분기부터는 모든 고객을 대상으로 서비스를 확대할 예정이다.

DB하이텍 관계자는 "이번 1200V SiC MOSFET 공정 신뢰성 검증 완료는 8인치 SiC 파운드리 서비스를 위한 핵심 공정 기술과 양산 기반을 확보했다는 데 의미가 있다"며 "2027년 8인치 SiC 양산을 차질 없이 준비해 차세대 전력반도체 파운드리 시장에서 경쟁력을 확대하겠다"고 말했다.