'계층형 메모리' 기반 AI 인프라 최적화 비전 제시…HBM·CXL·eSSD 총망라

375단 4D 낸드 웨이퍼 및 HBM4·SOCAMM2 등 최첨단 라인업 현장 전시

SK하이닉스 전시 부스를 살펴보고 있는 관람객들. [사진=SK하이닉스]

[디지털데일리 배태용기자] SK하이닉스가 세계 최대 메모리·스토리지 전시회 'FMS 2026'에서 고성능 D램부터 차세대 낸드, CXL 기반 메모리에 이르는 AI 인프라 전 계층 솔루션을 대거 선보였다.

7일 반도체 업계에 따르면 SK하이닉스는 4일부터 6일까지(현지시간) 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 'FMS 2026'에 참가해 차세대 AI 메모리 기술 역량을 입증했다.

행사 첫날 진행된 기조연설에는 김천성 SK하이닉스 부문장(Solution개발)과 강욱성 담당(차세대상품기획)이 연사로 나서 'AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안'을 주제로 미래 메모리 아키텍처 비전을 공유했다.

김 부문장은 "Agentic AI 시대로 확산되면서 인프라 경쟁력은 단일 메모리 제품의 성능만으로 결정되지 않는다"라며 "HBM, DRAM, NAND, SSD 등 각 메모리 계층을 어떻게 최적 배치하고 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 핵심"이라고 강조했다.

전시 현장에서는 빅테크 파트너십과 차세대 낸드, CXL 솔루션이 관람객들의 눈길을 끌었다. '파트너십존'에서는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈(Vera Rubin)' 모형과 함께 HBM4 모형을 배치했으며 HBM4E 48GB 12단, HBM4 48GB 16단, HBM3E 36GB 12단, 저전력 D램 기반 서버 모듈 SOCAMM2 등 실물 제품을 전시했다. 글로벌 AI 서버 시장을 이끄는 델(Dell)의 'R7625' 서버와 이에 탑재되는 64GB DDR5 RDIMM, eSSD 'PS1110 E3.S'도 전면에 내세웠다.

SK하이닉스의 '375단 NAND Wafer'와 '375단 1Tb TLC 154B 32DP'와 '375단 1Tb TLC 334B QDP'. [사진=SK하이닉스]

'스마트 엣지' 존에서는 웨이퍼 본딩(웨이퍼 간 접합) 공법을 최초 적용한 '375단 4D 낸드 웨이퍼'가 공개됐다. 전력 대비 성능을 전 세대 대비 2.5배 높인 이 제품을 기반으로 SK하이닉스는 내년 상반기 고성능 eSSD 양산에 들어갈 예정이다. 이와 함께 375단 1Tb TLC 154B 32DP 및 375단 1Tb TLC 334B QDP 등 고집적 패키징 기술력도 입증했다.

차세대 기술을 다룬 'Next Gen. Tech' 존에서는 CXL 기반 메모리 기술 시연이 진행됐다. CXL Pooled Memory를 활용해 여러 서버와 GPU를 연결한 분산 AI 에이전트 서빙 시스템 데모를 선보였으며, 네트워크 통신 기반 기존 시스템 대비 성능이 대폭 향상됨을 입증했다. D램과 SSD를 결합한 CMM-Hybrid를 통해 대규모 KV 캐시를 효율적으로 저장·재사용하는 기술도 시연했다. 메모리 연산 기능을 탑재한 CMM-Ax 기반 시스템은 초장문 맥락(Long-context) 처리 성능을 인정받아 학회 'MICRO 2026' 논문으로 채택되기도 했다.

아울러 임의철 SK하이닉스 담당은 구글, 샌디스크 등과 함께 진행된 패널 디스커션에 참석해 초고속 데이터 전송 기능을 갖춘 차세대 낸드 솔루션 'HBF(High Bandwidth Flash)'의 표준화 및 개발 방향성을 제시했다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 FMS 2026을 통해 차세대 AI 메모리 아키텍처의 방향성을 제시하고 HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL까지 종합 기술력을 입증했다"라며 "고객과 파트너가 필요로 하는 최적의 AI 메모리 솔루션을 선제적으로 제공해 나갈 것"이라고 말했다.