큰 박스 모양의 EUV 스캐너. [사진=ASML]

[디지털데일리 배태용기자] 글로벌 반도체 노광 장비 독점 기업인 네덜란드 ASML이 자사의 최첨단 차세대 장비인 '하이 NA EUV(고개구율 극자외선)' 시스템의 실제 산업 현장 내 대량 양산 가능성을 공식 입증하며 글로벌 초미세 공정 장비 시장에서의 기술 패러다임 리더십을 확고히 했다.

ASML은 인텔 파운드리가 자사의 'EXE 하이 NA EUV' 기술을 첨단 18A(1.8나노급) 공정에 성공적으로 이식해 '인텔 코어 울트라 시리즈 3(코드명 팬서레이크)' 프로세서 라인업의 고용량 대량 양산에 돌입했다고 15일 발표했다.

이번 양산 개시는 그동안 차세대 미세 공정의 최대 화두였던 하이 NA EUV 기술의 현장 신뢰성과 대량 양산성(High-volume readiness)을 실제 반도체 제조 환경에서 직접 검증해 냈다는 점에서 의미가 깊다.

미국 오레곤주 힐스보로 생산 라인에 가동 중인 ASML의 하이 NA EUV 장비는 인텔 18A 공정의 특정 레이어(회로층)를 그리는 과정에서 기존 주력 제품인 1세대 EUV(NXE 플랫폼) 수준의 수율을 안정적으로 달성하며 양품 칩 출하에 성공했다.

ASML과 인텔은 이번에 확보된 대량 생산 데이터를 분석해 장비의 실제 가동 시간(Up-time)을 한층 더 확보하고 전반적인 공정 구현을 다듬어나갈 전략이다. 하이 NA EUV는 기존 1세대 EUV 장비의 렌즈 개구율(NA)인 0.33을 0.55 수준으로 대폭 높여 한 번의 노광으로도 미세한 회로를 정밀하게 그릴 수 있도록 정밀도를 높인 장비다.

기존 대비 고해상도의 패턴 형성이 가능해 향후 인공지능(AI) 반도체와 모바일 프로세서 생산성을 비약적으로 끌어올릴 핵심 장비로 꼽힌다. ASML은 기술 진화 로드맵을 선도적으로 전개하며 후속 제품 공급망도 빈틈없이 다지고 있다.

인텔은 오레곤 R&D 사이트에 최초 상용 시스템을 배치한 데 이어, 해상도와 생산 속도를 대폭 조율하고 광원을 대폭 향상한 ASML의 2세대 고출력 장비 '트윈스캔 EXE:5200B' 제품까지 인수 검증을 마무리지었다. 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 "공정 제어력 향상과 해상도 확대를 동반한 하이 NA EUV의 전격 도입은 반도체 노광 기술의 패러다임을 바꿀 중대한 이정표"라며 "AI와 첨단 미래 기술의 발전을 가속화할 수 있는 초미세 공정 패턴 구현을 지원하게 돼 기쁘다"고 전했다.