반도체

로옴, 차량용 SiC MOSFET 신형 패키지 개발…방열 성능·자동 실장 강화

고성현 기자

로옴이 개발한 SiC MOSFET용 'TSC3PAK' 패키지 [사진=로옴]

[디지털데일리 고성현기자] 로옴이 전기차 전력 변환 시스템을 겨냥한 실리콘카바이드(SiC) MOSFET 신형 패키지를 개발했다. 자동 실장이 가능한 표면실장(SMD) 구조를 적용하면서 기존 리드 타입 패키지와 동등한 방열 성능을 구현한 것이 특징이다.

로옴은 SiC MOSFET용 'TSC3PAK' 패키지를 개발했다고 9일 밝혔다.

신제품은 방열면을 패키지 상단에 배치한 구조를 적용해 자동 실장이 가능하면서도 기존 'TO-247-4L' 리드 타입 패키지와 동등한 수준의 방열 성능을 구현했다. 로옴은 이를 통해 전기차 온보드차저(OBC)와 전동 컴프레서 등 전력 변환 회로의 효율과 신뢰성을 높일 수 있을 것으로 기대했다.

패키지에는 독자적인 홈 구조를 적용해 6.66mm의 연면거리를 확보했다. 기존 시장 주류 패키지와 호환성을 유지하며 오염도 2 환경에서 최대 1200V 교류(AC) 피크 전압을 지원한다. 이를 통해 고내압 애플리케이션에서 절연 설계를 용이하게 하고 실장 비용 절감과 신뢰성 향상에 기여할 수 있다는 게 로옴 측 설명이다.

제품에는 로옴 4세대 SiC MOSFET도 적용했다. 낮은 온저항과 고속 스위칭 특성을 통해 전력 변환 과정에서 발생하는 손실을 줄여 전력 효율을 높일 수 있다.

신제품은 지난 6월 양산을 시작했다. 로옴은 회로 설계를 지원하기 위한 시뮬레이션 모델도 공식 홈페이지를 통해 제공하고 있다.

회사 관계자는 "로옴은 SiC MOSFET의 라인업을 한층 더 확충해 전자기기의 고성능화, 소형화, 고신뢰성화에 기여해 나갈 것"이라고 말했다.

고성현 기자
naretss@ddaily.co.kr
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