핀당 최대 16Gbps 속도 구현·에너지 효율 20% 개선

'MR-MUF' 공정 48GB 용량 구현…열 저항 17% ↑

SK하이닉스 HBM4E. [사진=SK하이닉스]

[디지털데일리 배태용기자] SK하이닉스가 차세대 초고성능 메모리인 'HBM4E'의 샘플을 전격 공개하며 미래 시장 선점을 위한 발 빠른 행보에 돌입했다.

18일 SK하이닉스에 따르면 회사는 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 'HBM4E' 12단 샘플을 글로벌 주요 고객사들에 공급하기 시작했다. 이달 초 대만 현지에서 글로벌 리더들과 고객 맞춤형(Custom) AI 메모리 협력을 논의한 지 수일 만에 실제 차세대 가속기 칩셋용 핵심 부품의 실증 샘플을 공급선 전면에 배치한 모습이다.

SK하이닉스 측은 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 발 빠르게 선보일 수 있었다"라며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"라고 설명했다.

이번에 공급된 신제품은 이전 세대인 HBM4와 비교해 데이터 처리 성능과 전력 효율성을 모두 한 단계 끌어올린 것이 특징이다. 핀(Pin)당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하는 동시에 에너지 효율을 20% 이상 개선해 고도화된 대규모 AI 학습 및 실시간 추론에 필수적인 데이터 병목 현상을 획기적으로 낮췄다.

특히 최신 인터페이스 표준과 내부 설계 최적화를 조화시켜 데이터 전송 지연을 줄이고 고대역폭 가동 환경에서도 흐트러짐 없는 안정적인 동작을 구현했다. 회사는 이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 하이퍼스케일러들의 대규모 컴퓨팅 시스템 운영 효율을 한층 극대화할 수 있을 것으로 기대하고 있다.

제조 공정 측면에서는 SK하이닉스의 독자적인 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF' 공정을 고도화 적용해 12단 적층 기준 48GB(기가바이트)의 대용량을 구현하면서 구조적 안정성을 높였다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩 사이 회로 보호를 위해 공간 사이에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 기술이다. 이번 신제품은 적층 단수가 높아졌음에도 열 저항을 전작 대비 약 17% 낮추는 데 성공해, 발열 제어가 치명적인 고성능 컴퓨팅 환경에서 메모리가 안정적으로 동작하도록 안정성을 보장했다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 글로벌 빅테크들의 요구에 맞춘 메모리 솔루션을 적기에 제공해왔다. 시장에서 검증된 기술 신뢰도와 대량 양산 역량을 기반으로 HBM4E 영역에서도 AI 시스템 인프라 구축을 주도해 나갈 계획이다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가, AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"라며 "파트너들과의 견고한 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해, 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"라고 강조했다.