컨센서스 상회 영업이익률 72% 기록…AI 인프라 수요 폭발

321단 낸드 전환, 2027년 HBM4E 양산 로드맵 공개

AI 메모리 수요 폭발로 24시간 불이 꺼지지 않는 SK하이닉스 청주 팹. 심야에도 생산 라인이 100% 풀가동되면서 뿜어져 나온 수증기가 공장 위 하늘을 짙게 뒤덮고 있다. [사진=배태용 기자]

[디지털데일리 배태용기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 메모리 수요 폭발에 힘입어 1분기 사상 최대 실적을 달성했다. 시장 기대치를 훌쩍 웃도는 호실적을 기록한 데 이어 다가오는 2027년 차세대 고대역폭메모리(HBM4E) 양산 로드맵까지 전격 공개했다.

23일 SK하이닉스는 올해 1분기 연결 기준 매출액 52조5763억원 영업이익 37조6103억원을 기록했다고 발표했다. 순이익은 40조3459억원으로 집계됐다. 분기 기준으로 매출이 50조원을 돌파한 것은 창사 이래 처음이다. 72%에 달하는 영업이익률 역시 역대 최고 기록이다. 직전 분기인 지난해 4분기와 비교해 2배 수준으로 급증한 수치다.

앞서 금융정보업체 에프엔가이드가 집계한 SK하이닉스의 1분기 실적 컨센서스(시장 전망치)는 매출 50조1046억원 영업이익 34조8753억원이었다.

계절적 비수기인 1분기임에도 불구하고 이 같은 호실적을 거둔 배경에는 인공지능 인프라 투자 확대 영향이다. 고대역폭메모리(HBM)와 고용량 서버용 D램 모듈 그리고 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 고부가가치 제품 판매가 전체 실적 상승을 견인했다. 현금 창출력도 극대화돼 1분기 말 현금성 자산은 전분기와 비교해 19조4000억원 늘어난 54조3000억원을 기록, 차입금을 대폭 줄여 35조원의 순현금을 달성했다.

◆ 에이전틱 AI가 이끄는 수요 확장…선제적 투자 단행

SK하이닉스는 인공지능이 대형 모델 학습 중심에서 다양한 서비스 환경의 실시간 추론을 반복하는 에이전틱 AI 단계로 진화하면서 메모리 수요 기반이 D램과 낸드플래시 전반으로 넓어지고 있다고 분석했다. 메모리 효율화 기술 확산이 인공지능 서비스의 경제성을 높여 전체 서비스 규모 확대로 이어질 것이라는 전망이다.

늘어나는 고객 수요에 대응하기 위해 공급 역량 확보에도 총력을 기울인다. 올해 투자 규모는 청주 M15X 램프업과 용인 클러스터를 중심으로 한 인프라 준비 그리고 극자외선(EUV) 등 핵심 장비 확보를 위해 전년과 비교해 크게 증가할 예정이다. 수요 가시성을 고려한 전략적 투자를 통해 공급 안정성과 재무 건전성을 동시에 확보하겠다는 방침이다.

이날 실적 발표 직후 열린 컨퍼런스콜에서는 폭발하는 낸드 수요 대응 전략과 차세대 메모리 로드맵에 대한 질문 세례가 이어졌다.

◆ HBM4E⋅321단 낸드 로드맵 제시

우선 eSSD 등 낸드플래시 수요와 관련해 SK하이닉스는 "낸드가 이제 단순 저장장치가 아닌 핵심 부품으로 자리 잡았다"고 강조했다. 인공지능 모델 고도화로 KV캐시 등 중간 데이터 처리가 급증하면서 고용량 고성능 낸드 도입이 필수가 됐다는 설명이다. 이를 위해 지난 4월 세계 최초로 개발해 고객 인증을 마친 321단 QLC 제품을 앞세워 시장을 공략한다. 특히 비트 생산량 확대를 위해 국내 낸드 생산량의 50%를 기존 176단에서 321단으로 전격 전환하는 마이그레이션을 가속할 계획이다.

차세대 AI 메모리 준비 현황에 대한 구체적인 청사진도 제시됐다. D램은 세계 최초로 1c(10나노급 6세대) 공정을 적용한 LPDDR6와 이달 양산을 시작한 192GB SOCAMM2의 공급을 본격화한다. 특히 SOCAMM2는 기존 RDIMM과 비교해 2배 높은 대역폭과 75% 개선된 에너지 효율을 자랑한다. 추론 수요 확장에 대응하기 위해 CXL 3.0을 지원하는 2세대 제품과 지능형반도체(PIM) 최적화 그리고 초고속 대역폭을 제공하는 스토리지인 HBF 기술 상용화에도 속도를 낸다.

차세대 HBM4E 제품에 대해서는 2027년 양산 로드맵을 확정 지었다. SK하이닉스는 "내부적으로 올 하반기 샘플을 공급하고 2027년 양산을 목표로 순조롭게 개발을 진행 중"이라며 "고객사 맞춤형으로 개발 중인 베이스 다이와 업계 최고 성능을 입증한 1c D램 기반의 코어 다이를 결합해 기술 초격차를 이어가겠다"고 설명했다. 이어 "코어 다이로 쓰이는 1c D램은 지난해 말 양산을 시작해 수율과 생산 능력이 이미 성숙 단계에 도달한 만큼 고객에게 안정적인 물량 공급이 가능할 것"이라고 자신감을 내비쳤다.