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"더 작고 강력하게" ST, 스마트보호 기능 탑재한 모션 제어용 GaN 드라이버 공개

디지털데일리 발행일 2026-04-14 09:53:45
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김문기 기자

ST마이크로일렉트로닉스가 질화갈륨(GaN) 기술의 효율성과 열 성능을 극대화한 고속 하프 브리지 게이트 드라이버 2종을 출시했다 [사진=ST]

[디지털데일리 김문기기자] ST마이크로일렉트로닉스는 질화갈륨(GaN) 기술의 효율성과 열 성능을 극대화한 고속 하프 브리지 게이트 드라이버 2종을 출시했다고 14일 발표했다.

이번에 선보인 'STDRIVEG212'와 'STDRIVEG612'는 각각 최대 220V와 600V의 하이사이드 전압으로 동작하며, 인핸스드 모드 GaN HEMT에 정밀한 5V 게이트 드라이브 신호를 전달한다. 이 제품은 선형 레귤레이터(LDO), 부트스트랩 다이오드, 저전압 차단(UVLO) 기능을 소형 QFN 패키지에 통합한 고집적 솔루션이다.

신제품은 스마트 보호 기능을 통해 안정성을 높였다. 통합된 스마트 셧다운(SmartSD) 기능은 과전류 감지 시 스위치를 즉각 차단하고, 장치가 충분히 냉각될 때까지 자동으로 차단 상태를 유지한다. 또한 ±200V/ns의 과도응답 내성과 50ns의 정밀한 전파 지연 매칭을 통해 모션 제어와 같은 고속 하드 스위칭 애플리케이션에서 높은 회전 속도를 구현할 수 있다.

설계 편의성과 비용 절감 효과도 대폭 강화됐다. 싱크 및 소스 경로가 분리된 출력 아키텍처를 통해 턴온 및 턴오프 임피던스를 개별 최적화할 수 있어, 별도의 턴오프 다이오드 없이도 부품원가(BOM)를 줄이고 게이트 루프 인덕턴스를 낮출 수 있다.

STDRIVEG212와 STDRIVEG612는 영하 40도에서 영상 125도까지 지원하는 산업용 등급 디바이스로, 현재 4x5mm QFN 패키지 형태로 생산 중이다. 엔지니어들은 함께 공급되는 'EVLSTDRIVEG212' 평가 보드를 통해 프로젝트 개발 속도를 높일 수 있다.

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김문기 기자
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