[디지털데일리 고성현 기자] 마이크론이 미국 내 메모리반도체 생산능력 확대, 연구개발(R&D) 강화를 위해 271조원을 투자한다는 계획을 내놨다. 이를 통해 회사 전체 D램 생산의 40%를 미국에서 생산하고 고대역폭메모리(HBM) 역량을 구축하겠다는 목표다.

마이크론은 12일(현지시간) 도널드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 첨단 메모리 제조를 위해 1500억달러, R&D에 500억달러 등 총 2000억달러(한화 약 271조원)를 투자한다고 발표했다. 이는 기존 계획보다 300억달러 증액한 것이다.

이번 투자에는 아이다호주 보이시에 두번째 첨단 메모리반도체 팹을 짓고 뉴욕주의 4개 팹 구축, 버지니아주 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 아이다호주에서는 첫번째 공장을 오는 2027년부터 양산을 시작하며 오는 연말 두번째 공장의 부지 조성을 시작할 예정이다.

마이크론이 미국 내 추가 투자를 발표한 것은 빅테크 등을 중심으로 급증한 인공지능(AI) 메모리 수요 대응을 위해서다. 아울러 D램과 고대역폭메모리(HBM) 제조 기반을 현지에 확보에 관세 등 잠재적 위협에 대응하고, 칩스법에 따른 보조금을 확보하려는 의도가 깔린 것으로 해석된다.

미국 상무부는 이날 마이크론의 투자 발표 직후 최대 2억7500만달러 보조금을 지급하겠다고 발표했다. 이 보조금은 지난해 12월 바이든 행정부와 잠정 합의한 것을 확정 지급하는 것으로, 이번 마이크론 추가 투자에 따른 보조금 증액은 아닌 것으로 관측된다.

마이크론이 투자 발표를 하자 엔비디아, 애플, 마이크로소프트, 아마존웹서비스 등 미국 내 빅테크 기업들은 환영의 뜻을 일제히 밝혔다.

젠슨황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 "트럼프 행정부 지원을 받아 미국에서 첨단 메모리 제조 및 HBM 역량에 대한 마이크론 투자는 AI 생태계를 위한 중요한 진전"이라며 "고성능 메모리 분야에서 마이크론 리더십은 엔비디아가 추진하는 차세대 AI 혁신을 실현하는 데 중요하다"고 강조했다.