[디지털데일리 김문기 기자] 삼성전자가 개발한 HBM3E 12단(12H) D램이 AMD의 최신 AI GPU 제품군인 인스팅트(Instinct) MI350 시리즈에 탑재됐다.

12일(현지시각) AMD(대표 리사 수)는 미국 새너제이에서 개최한 ‘어드밴싱 AI 2025(AAI 2025)’ 행사에서 MI350 시리즈에 HBM3e 12H D램이 탑재됐다고 발표했다. 이날 AMD는 이번 MI350 시리즈 HBM 공급사로 삼성전자와 마이크론을 지목했다.

MI350 시리즈에 도입된 HBM3e 12H D램(5세대)은 삼성전자가 지난해 개발 완료를 발표한 36GB 용량의 HBM3E 12H D램으로 추정된다. 이 제품은 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via) 기술로 수직 적층해 총 12단으로 구성되며, 단일 패키지로 36GB의 고용량을 제공한다.

이번 HBM3E 12H는 전작인 HBM3 8단 제품 대비 성능과 용량이 50% 이상 향상됐다. 초당 최대 1,280GB의 대역폭을 제공하며, 1,024개의 입출력(I/O) 통로에서 초당 최대 10Gb의 속도를 처리할 수 있다. 이는 1초에 UHD 영화 약 40편 분량의 데이터를 전송할 수 있는 수준이다.

이같은 사실은 삼성전자의 12H 적층 기술이 실제 고성능 AI 인프라에 적용되고 있음을 의미한다. AMD는 이번 MI350 시리즈를 통해 최대 4배 AI 연산 성능 향상, 35배 추론 성능 개선을 이뤘다고 발표한 바 있다.

한편, 삼성전자는 HBM3E 12H 구현 과정에서 ‘어드밴스드(Advanced) TC NCF(Thermal Compression Non-Conductive Film)’ 기술을 도입, 8단 제품과 동일한 높이의 패키지 규격을 구현했다. 또한 칩 간 간격을 7마이크로미터로 최소화해 수직 집적도를 20% 이상 향상시켰다. 크기가 다른 범프를 위치별로 적용해 신호와 열 특성을 분리 설계한 점도 특징이다.