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TI, 위성설계 지원 우주등급 200V GaN FET 게이트 드라이버 출시

디지털데일리 발행일 2025-02-25 13:18:49
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김문기 기자

TI 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버_위성 전력 시스템 애플리케이션 [사진=TI]

[디지털데일리 김문기 기자] 텍사스 인스트루먼트(TI, 대표 박중서)는 방사능 내성(radiation-tolerant) 및 방사능 경화(radiation-hardened)기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨 (GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다고 25일 발표했다.

이 제품군에는 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함됐다. 핀 투 핀(pin-to-pin) 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며 세 가지 전압 레벨을 지원한다. TI가 이와 같이 우주 등급 전력 제품의 기술 개선을 이뤘다.

TI의 새로운 게이트 드라이버는 상승 및 하강 시간이 짧고 GaN FET를 정확하게 구동하도록 설계되어 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선해 준다. 이를 통해, 위성은 태양광 패널에서 생성된 전력을 보다 효과적으로 사용하여 임무를 수행할 수 있다.

하비에르 바예(Javier Valle) TI 우주 항공 전력 제품 사업부 제품 라인 매니저는 "위성은 글로벌 인터넷 서비스 제공부터 기후 및 운송 활동 모니터링에 이르기까지 여러 가지 중요한 임무를 수행하며 인류가 세상을 더 잘 이해하고 탐색하도록 돕는다"며, "TI의 새 제품군은 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 상의 위성들이 우주의 극한 환경에서 높은 수준의 전력 효율을 유지하면서도 장기간 작동할 수 있도록 지원한다"고 말했다.

TPS7H6003-SP, TPS7H6013-SP, TPS7H6023-SP, TPS7H6005-SEP는 현재 TI닷컴에서 구매할 수 있다.

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