[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 올해도 한 발 앞선 미세공정전환을 통해 메모리 반도체 시장에서 경쟁사와의 격차를 더 벌리겠다는 계획을 세웠다.

30일 관련 업계에 따르면 올해 삼성전자는 20나노급(29나노 안팎) D램과 10나노급(18나노 안팎) 낸드플래시의 생산 비중을 점진적으로 확대, 연말에는 주력 제품군 반열에 올리겠다는 계획이다.

우선 지난해 하반기부터 양산에 돌입한 20나노급 D램의 경우 30나노급 이하 D램 비중 가운데 올 연말 기준 40%의 비중으로 생산량을 확대한다. 10나노급 낸드플래시는 전체 20나노급 이하 제품군 가운데 연말 기준 비중 목표가 30% 이상이다.

앞서 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스 콜을 통해 올 연말 기준 20나노급을 포함한 30나노급 이하 D램의 생산 비중을 전체의 60% 이상으로 확대할 계획이라고 밝혔다. 낸드플래시는 10나노급을 포함한 20나노급 이하 공정의 생산량은 90% 비중을 초과할 것으로 전망했다.

이는 지난해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 밝혔던 30나노급 이하 D램 비중 50%와 20나노급 이하 낸드 비중 70%에서 확대된 것으로 업계에선 삼성전자의 미세공정전환 작업이 순조롭다는 신호로 해석했다.

삼성전자가 목표대로 공정 전환을 진행하고, 여러 종류의 메모리 반도체를 묶어 단일칩으로 만든 멀티칩패키지(MCP)의 판매를 확대할 경우 올해 반도체 사업부 전체 영업이익률은 25% 수준을 유지하며 연간 6~7조원 가량의 영업이익을 올릴 수 있을 것이라는 전망이다.

업계 관계자는 “반도체 업황이 저점을 지나고 있다는 긍정적 전망이 있지만 사이클로 보면 올해까지는 다운텀이라는 시각이 우세하다”라며 “삼성전자는 미세공정전환 기술의 독주와 생산성 혁신을 통해 올해도 메모리 반도체 업계에서 나홀로 이익을 내는 선두업체의 위상을 확고히 할 것으로 보인다”라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr


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