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기사 : 삼성 ‘반도체’ 중국 간다‥각종 우려에 촉각(MBC)

4일 MBC 등 방송은 삼성전자가 중국에 낸드플래시 공장을 건설하는 대신 최신 공법은 1년에서 1년 6개월의 시차를 두고 적용할 것이라고 보도했다.

이날 대부분의 방송에서 나온 삼성 중국 반도체 공장 보도에는 모두 이 같은 ‘시차’ 내용이 들어가 있다.

방송 기자들이 말한 최신 공법이란 ‘미세 공정’을 의미한다.

1년에서 1년 6개월의 시차라면 한 세대 혹은 두 세대 뒤쳐진 미세 공정 기술을 중국 공장에 적용하겠다는 것이다. 미세 공정이 한 세대 뒤쳐지면 원가 차이가 40%나 나게 되는데 반도체 전문가들은 삼성전자가 기술 유출에 관한 우려가 커지니 누구도 믿지 못할 거짓말을 하는 것이라고 강도 높게 비판했다.

삼성전자가 중국에 낸드플래시 공장을 건설하는 정치적 이유야 물론 있겠지만 이 같은 손해를 감수하겠냐는 것이다.


중국 우시에 D램 공장을 운용하고 있는 하이닉스도 공정 업그레이드를 거의 동일한 시기에 진행한다. 한국에서 38나노 D램을 양산하면 중국에서도 38나노를 찍는다. 시차는 기껏해야 3개월 정도다.


지식경제부 발표 자료에 따르면 삼성전자는 중국 낸드플래시 공장에 10나노대의 공정을 적용할 계획이라고 한다. 그런데 10나노대는 회로 선폭이 좁아질 대로 좁아져 공정 업그레이드가 4세대(ex 18나노, 16나노, 13나노, 11나노)에 걸쳐 느릿하게 진행된다.


삼성전자의 로드맵대로라면 올 하반기 18나노(안팎) 공정으로 낸드플래시를 양산하고 내년에는 16나노(안팎)로 넘어갈 것이다. 16나노를 개발해놓고 중국 공장에는 손해를 감수하며 18나노 혹은 21나노를 적용할 지는 지켜보면 알 일이다.


삼성전자가 기술 유출에 관한 우려를 잠재우려 했다면 차라리 공장 설립 시 중국 지방정부 등과 합작 투자는 절대 하지 않을 것이라는 약속을 했어야 했다.


[한주엽기자 블로그=Consumer&Prosumer]


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