- 美 반도체법, 보조금 지급 기간 中 28나노 투자 제한 포함
- 美 공정 장비 규제 이어 낸드 타깃 제한 검토
- 삼성전자, 中 낸드 증설 완료
- SK하이닉스, 10나노급 D램 투자 한국 중심
- 단기적 영향 제한적…장기적 전략 재편 여부 ‘관심’


[디지털데일리 윤상호 기자] 미국이 ‘반도체 및 과학법(CHIPS and Science Act)’ 시행을 앞두고 있다. 미국에 반도체 투자를 하는 기업에 보조금을 주는 것이 골자다. 보조금을 받은 기업에게 중국 반도체 투자를 제한하는 내용도 들어있다. 삼성전자 SK하이닉스 TSMC 등이 촉각을 곤두세우고 있다.

2일 시장조사기관 트렌드포스는 미국 의회가 통과시킨 반도체 및 과학법이 발효되면 삼성전자 TSMC 등의 중국 사업이 영향을 받을 수 있다고 우려했다.

미국 상원과 하원은 각각 지난 7월27일과 28일(현지시각) 반도체 및 과학법을 가결했다. 조 바이든 미국 대통령이 서명하면 효력이 발생한다. 반도체 산업 지원과 과학 기술 육성에 총 2800억달러를 투입한다.

반도체 업계는 이 법의 통과를 환영했지만 속내는 복잡하다. 미국에 투자를 하는 반도체 업체는 보조금을 받을 수 있지만 대신 보조금을 받는 기간 동안 중국에 28나노미터(nm) 이하 반도체 공정 투자를 금지하는 내용을 포함했기 때문이다.

현재 중국에 반도체 제조시설(팹)이 있는 업체 중 미국에 반도체 투자를 진행 중이거나 할 예정인 업체는 삼성전자 SK하이닉스 TSMC다. 삼성전자는 텍사스주에 TSMC는 애리조나주에 신규 팹을 착공했다. SK하이닉스는 반도체 후공정 팹과 연구개발(R&D) 센터 설립을 약속했다. 반도체 및 과학법 지원대상이다.

문제는 중국이다. 삼성전자는 중국에 낸드플래시와 후공정 팹이 있다. SK하이닉스는 D램 및 낸드 팹과 후공정 팹이 있다. TSMC도 중국에서 반도체 수탁생산(파운드리) 팹을 운영하고 있다.

28nm 이하 공정 투자가 묶일 경우 삼성전자와 SK하이닉스 메모리반도체 추가 투자는 불가능하다. D램은 10nm급 낸드는 20nm급 이하 공정을 사용하고 있기 때문이다. TSMC는 상대적으로 여유가 있다. TSMC 중국 파운드리는 28nm 이상 성숙공정 팹이다.

이번 법안이 제공하는 보조금을 받지 않아도 위험은 남아있다.

미국 정부는 이미 중국에 10nm 이하 공정 장비 공급을 사실상 차단했다. 최근 미국 장비 업체에게 14nm 이하 공정 장비도 정부 승인을 받으라고 요구했다. 해외 업체에게도 압력을 행사하고 있다. 또 공정 규제와 더불어 업종 규제도 추가할 움직임을 보이고 있다. 낸드 제조사 대상 미국산 장비 수출 제한을 검토 중이다.

삼성전자와 SK하이닉스는 이에 대한 입장 표명을 유보했다.

한편 미국이 추진하는 중국 반도체 장비 공급 제한 강화가 현실화하더라도 삼성전자와 SK하이닉스에게 단기적인 타격은 없을 것으로 보인다.

삼성전자는 작년 중국 낸드 팹 증설을 완료했다. SK하이닉스는 D램 10nm급 극자외선(EUV) 장비 반입을 국내에 집중하고 있다.

장기적 영향은 미지수다. 현상 유지는 가능하지만 양국 관계가 지속 악화할 경우 사업 전략 수정이 불가피하다. 이 경우 중국 고객사와 관계까지 흔들릴 수 있다.


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