- 3나노 GAA 공정 HPC 세계 최초 적용


[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 3나노미터(nm) 반도체 수탁생산(파운드리) 공정을 이용한 시스템반도체를 출하했다. 세계 최초다. 파운드리 경쟁 우위를 점하는 계기가 될지 주목된다.

25일 삼성전자(대표 한종희 경계현)는 이날 경기 화성캠퍼스에서 3nm 파운드리 제품 출하식을 개최했다고 밝혔다.

극자외선(EUV) 전용 V1라인에서 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3nm 공정 제품 공급을 본격화했다. GAA는 차세대 트랜지스터 구조로 주목을 받고 있는 기술이다. GAA는 핀펫 기술 대비 트랜지스터에서 전류가 흐르는 문(게이트)과 길(채널)을 1개 늘린 것이 특징이다. ▲전력 소모량 감소 ▲성능 개선 등을 기대할 수 있다.

삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장 경계현 대표는 “삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”라며 “핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.

산업통상자원부 이창양 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소재·부품·장비(소부장) 업계가 힘을 모아달라”며 “정부도 지난주 발표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 평가했다.

원익IPS 이현덕 대표는 “삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익IPS 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다”라며 “앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다”고 설명했다.

텔레칩스 이장규 대표는 “텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다”며 “삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다”고 전했다.

한편 삼성전자는 GAA 3nm 공정을 평택캠퍼스로 확대할 예정이다. 신제품은 고성능컴퓨팅(HPC)용 시스템반도체에 처음 적용했다. 대상 확대를 위해 주요 고객사와 논의 중이다.


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