- 이재용 부회장 “평택 방문해서 고맙다”

[디지털데일리 김도현 기자] 조 바이든 미국 대통령이 방한했다. 20일부터 22일까지 2박3일 일정을 소화한다. 한국에 오자마자 바이든 대통령은 삼성전자 평택캠퍼스를 찾았다.

이날 바이든 대통령은 윤석열 대통령과 이재용 삼성전자 부회장 안내를 받아 평택 반도체 공장을 둘러봤다.

한미(韓美) 정상 공동연설에 앞서 이 부회장은 “양국 대통령을 평택 반도체 공장으로 맞이하게 돼 영광으로 생각한다”면서 “삼성전자는 25년 전 미국에서 반도체를 만들기 시작한 최대 규모 글로벌 반도체 기업으로 이런 우정을 존중하고 소중하게 생각하며 계속 발전시키킬 기대한다”고 말했다.

이후 윤 대통령과 바이든 대통령 연설이 진행됐다. 윤 대통령은 “한국 반도체 심장인 평택캠퍼스에 바이든 대통령이 방문해 주셔서 감사드린다”며 “이를 계기로 한미 관계과 첨단기술과 공급망 협력 기반 경제 안보 동맹으로 거듭나기를 희망한다”고 밝혔다.

이어 “미국은 글로벌 공급망 핵심으로 반도체의 중요성을 강조해왔다. 반도체 법안 통과를 위해 많은 노력을 쏟고 있는 것으로 알고 있다”며 “램리서치, 듀폰 등 미국 반도체 소재·장비 업체도 한국 투자를 통해 한국 반도체 업체와의 협업을 강화하고 있다. 동시에 한미 정부 간 반도체 협력도 활발히 진행되고 있다”고 덧붙였다.

다음으로 이야기한 바이든 대통령은 “한국처럼 우리와 가치를 공유하는 긴밀한 파트너와 협력해 우리가 필요한 것을 동맹과 파트너로부터 더 확보하고 공급망 회복력을 강화하는 게 중요하다”고 설명했다.

또 “그렇게 해야 우리가 함께 더 번영하고 우리 국민이 21세기 경쟁에서 가장 유리한 위치를 선점하도록 장기적 회복력을 강화할 수 있다”고 전했다.

이날 양국 정상은 평택캠퍼스에서 첫 대면하면서 22초간 손을 마주잡았다. 21일 한미 정상회담의 예고편 격이다. 해외 정상이 특정 기업의 사업장을 찾은 건 이례적이다.

이번 자리에 이 부회장은 두 나라 대통령에 3나노미터(nm) 반도체를 선보였다. 양국 대통령은 행사 첫 식순으로 반도체 웨이퍼에 서명하는 행사를 진행했다. 해당 자리에는 마크 리퍼트 삼성전자 북미법인 부사장, 크리스티아노 아몬 퀄컴 최고경영자(CEO) 등이 동참했다.

3nm 반도체는 삼성전자 반도체 수탁생산(파운드리) 사업부가 공정 개발에 심혈을 기울인 결과물이다. TSMC, 인텔 등 글로벌 반도체 공룡들보다 먼저 생산할 예정이다. 기존 최대 공정은 4nm다.

아울러 삼성전자는 3nm부터 GAA(Gate-All-Around) 기술을 도입한다. GAA는 전류 흐름을 조절하는 트랜지스터의 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿은 면을 4개로 늘린 구조다. 기존 핀펫(FinFET) 방식보다 접촉면을 1개 더 늘려 전력 효율을 높였다. GAA 적용 3nm 칩은 FinFET 기반 5nm 칩 대비 ▲성능 30% 향상 ▲전력소모 50% 절감 ▲면적 35% 축소 등 효과가 기대된다.

한편 이날에는 한국 측에서 박진 외교부·이창양 산업통상자원부·이종호 과학기술정보통신부 장관과 김성한 국가안보실장, 최상목 경제수석, 왕윤종 경제안보비서관 등 100여명이 동행했다. 미국 측에선 지나 러몬드 상무장관, 제이크 설리번 백악관 국가안보보좌관, 크리스토퍼 델 코르소 주한미대사 대리, 대니얼 크리튼브링크 동아태 차관보 등 50여명이 함께했다.


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