[디지털데일리 정혜원 기자] TSMC가 삼성전자에 앞서 1.4나노미터 공정 개발에 착수하면서 기술 격차를 벌리는 데 속도를 내고 있다.

20일 미국 IT매체 톰스하드웨어에 따르면 TSMC는 오는 6월 3나노 공정 연구개발(R&D)팀을 1.4나노미터 공정 R&D팀으로 전환할 것으로 알려졌다.

이와 관련 오는 6월 중순에 TSMC가 개최하는 기술 심포지엄에서 2나노미터 제조 공정 이후 계획과 관련해 간략한 세부 사항이 발표될 가능성도 있다.

앞서 인텔은 1.8나노미터 공정의 개시 시점을 2024년 하반기로 앞당겼고 지난해 삼성전자는 2025년 2나노미터 공정으로 칩을 양산하겠다는 계획을 발표한 바 있다. 파운드리 상위권 업체의 경쟁 구도가 재편될 조짐을 보이면서 TSMC가 기술 격차를 벌리려는 것으로 보인다.

하지만 TSMC는 2025년 말에 2나노미터 칩 대량양산 단계에 진입하고 본격적 납품은 2026년경이 될 것으로 예상된다. 이러한 일정에 비춰보면 1.4나노미터 공정은 2028년부터 상용 제품에 적용될 것으로 예상된다.

다만 업계 관계자들은 TSMC의 공정 개발 계획에 회의적 시각을 보내고 있다. 이미 파운드리 업체들이 초미세 제작 공정에 어려움을 겪고 있기 때문이다. 기술 장벽이 점점 높아지는 만큼 수익률에도 부정적 영향을 미치고 있다는 지적도 나온다.


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