- 웨이퍼 침투한 실리콘 및 기타물질 제거

[디지털데일리 김도현 기자] 미국 램리서치가 차세대 반도체 설비를 선보인다. 식각 분야 강자인 만큼 관련 제품을 내놓았다. 식각 공정은 노광 공정에서 형성된 포토레지스트(PR) 부분을 남기고 나머지 영역을 제거해 회로패턴을 형성하는 단계다.

8일 램리서치는 신제품 ‘Syndion GP’를 출시한다고 밝혔다.

해당 제품을 통해 딥 실리콘 식각이 가능해졌다. 이는 웨이퍼 깊숙이 침투한 실리콘과 기타 물질을 제거하는 플라즈마 식각 공정을 통칭하는 용어다.

회사에 따르면 자동차, 전력 송배전, 에너지 부문 기술 고도화로 칩 수준에서 전력 증가, 성능 개선, 밀도 증가에 대한 요구가 커졌다. 이는 고종횡비 구조에 필요한 전체 웨이퍼 간 균일도 요건 강화로 이어졌다. 종횡비는 가로세로 비율을 뜻하며 최근 반도체 집적도 향상을 위해 높은 종횡비를 가진 구조로 설계하는 추세다.

이러한 고정밀 제조 공정을 지원하도록 설계한 것이 바로 Syndion GP이다. 기존 8인치(200mm)뿐만 아니라 12인치(300mm) 크기 웨이퍼에서도 소자를 생산할 수 있도록 구성해서 사용할 수 있어 용량 증가로 가는 과정이 간소화된다.

현재 많은 전력 소자가 200mm 웨이퍼로 제조되고 있지만 수요 증가에 따라 300mm 웨이퍼로 이동하고 있다. Syndion GP 솔루션은 램리서치의 딥 실리콘 식각 능력을 기반으로 한다.

램리서치 팻 로드 고객지원사업부 및 글로벌 운영부사장은 “특수 소자에 대한 수요가 계속해서 급증하고 있다. 고객사와 협업을 통해 빠르게 300mm 웨이퍼를 사용하는 방향으로 고급 전력 소자를 제조해야 한다는 필요성을 확인했다. Syndion GP는 반도체 제조업체 요구에 부합한다”고 말했다.


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