- 삼성전자, 초격차 전략 유지…회로 선폭 공개하며 자신감 표출

[디지털데일리 김도현 기자] 메모리 기술 전쟁이 격화되고 있다. 미국 마이크론의 도발에 삼성전자는 최선단 공정으로 맞불을 놓았다.

12일 삼성전자는 극자외선(EUV) 기반 14나노미터(nm) D램 양산에 돌입했다고 밝혔다. 14nm는 반도체 회로 간 선폭을 의미한다.

앞서 마이크론과 SK하이닉스는 각각 지난 1월, 7월에 10nm급 4세대(1a) D램 생산 소식을 전했다. 삼성전자보다 이른 시점이지만 선폭에서 차이가 있다. 양사 제품은 14.Xnm 수준으로 추정된다. 통상 구체적인 수치를 공개하지 않지만 삼성전자는 ‘14.0’이라는 숫자로 자신감을 나타냈다.

이번 발표에서 주목할 부분은 따로 있다. EUV와 DDR(Double Data Rate)5다. EUV는 익히 알려진 대로 차세대 노광 기술이다. 기존 불화아르곤(ArF) 대비 짧은 파장으로 회로 패턴을 미세하게 그려낼 수 있다. 삼성전자는 반도체 수탁생산(파운드리)에서의 경험을 바탕으로 D램에 업계 최초로 EUV를 도입했다.

EUV D램은 SK하이닉스도 지난 7월 양산을 시작했으나 적용 레이어 수가 다르다. SK하이닉스는 1개층, 삼성전자는 5개층이다. 쉽게 말해 밑그림을 그리는데 얇은 펜을 5배 많이 쓴 셈이다. 삼성전자는 이를 통해 웨이퍼 생산성을 이전 세대 대비 20% 올렸다.

DDR5는 차세대 규격이다. DDR 메모리는 한 클럭 사이클 동안 2번 데이터 신호를 송수신할 수 있다. 숫자가 높을수록 2배씩 발전한다는 의미다. 도로로 비유하면 DDR 2차선, DDR2 4차선, DDR3 8차선, DDR4 16차선, DDR5 32차선 수준이다.

DDR5(7.2Gbps)는 DDR4 대비 2배 빠른 속도를 갖추고 있다. 이에 인공지능(AI), 머신러닝 등 방대한 데이터를 빠르게 불러내야 할 분야에서 수요가 커지고 있다. 다음 세대로 넘어가기 위해선 중앙처리장치(CPU)와의 호환이 중요한 만큼 인텔, AMD 등과 시점을 맞춰가고 있다. 인텔의 경우 올해 말 또는 내년 초 DDR5용 CPU를 내놓을 계획이다.

경쟁사 역시 DDR5 제품 개발을 완료했거나 제작에 들어갔다. 다만 EUV와 DDR5을 동시에 투입한 건 삼성전자가 처음이다. 내년부터 DDR5 시대가 개화할 전망인 만큼 삼성전자가 신기술을 내세워 시장을 이끌어갈 것으로 예상된다.

한편 메모리 빅3의 경쟁은 낸드플래시에서도 펼쳐지고 있다. 이들 업체는 128단에서 176단으로 넘어가는 단계다. 마이크론이 선제적으로 선보였고 삼성전자와 SK하이닉스는 올해 하반기 양산 예정이다.


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