- 8나노 RF 공정, 14나노 대비 칩 면적 35%↓·전력 효율 35%↑

[디지털데일리 윤상호 기자] 삼성전자가 8나노미터(nm) 5세대(5G) 이동통신 통신칩 시대를 열었다. 반도체 수탁생산(파운드리) 공정을 개발했다.

삼성전자(대표 김기남 김현석 고동진)는 ‘8nm 무선주파수(RF: Radio Frequency) 공정 기술’을 개발했다고 9일 밝혔다.

삼성전자는 5G 통신용 RF칩을 더 작은 1개 칩으로 만들 수 있는 능력을 갖췄다. 5G 통신칩 고객사 확보를 강화할 계획이다.

RF칩은 RF 송수신 반도체다. 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환한다. 주파수 대역 변경과 디지털-아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로 영역과 주파수 수신 증폭 등을 하는 아날로그 회로 영역으로 구성한다.

삼성전자는 2015년 28nm 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작했다. 2017년부터 14nm RF 공정 양산을 제공했다. 2017년부터 지금까지 RF칩 출하량은 5억개를 돌파했다.

이번에 개발한 8nm 공정은 14nm 공정 대비 칩 면적을 약 35% 줄일 수 있다. 전력 효율은 약 35% 향상했다.

반도체는 미세화 공정을 적용할수록 로직 성능은 높아지지만 아날로그 영역 간섭 등 우려가 커진다. 삼성전자는 8nm 공정을 위해 새로운 반도체 소자 ‘RF이펫(RFeFET: RF extremeFET)’을 도입했다. 전자가 흐르는 통로인 채널 주변에 특정 소재를 적용했다. 물리적 자극으로 전자 이동 특성을 극대화했다.

삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 이형진 마스터는 “공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8nm 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 갖춰 고객에게 최적의 솔루션을 제공할 것”이라며 “삼성전자는 최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장을 적극 대응해 나갈 것”이라고 말했다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr


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