[디지털데일리 김도현 기자] 미국 장비업체 램리서치가 최신 유전체 식각(dielectric etch) 기술 ‘Vantex’를 개발했다고 29일 밝혔다. 차세대 D램 및 낸드플래시 성능을 향상시킬 것으로 기대된다.

그동안 메모리 제조업체들은 소자의 높이 치수는 늘리고 가로 임계치수(CD)는 줄여 노드의 비트당 원가를 줄이기 위해 노력해왔다. 그 결과 3차원(3D) D램과 낸드의 식각 종횡비가 새로운 차원에 도달하고 있다.

Vantex의 챔버 설계가 새롭게 바뀌어 전보다 높은 수준의 무선 주파수(RF) 전력을 사용할 수 있게 되면서 고종횡비 피처의 생산량 증가와 비용 조정이 가능해졌다. 파워 향상에 RF 펄스 기술 발전까지 더해져 소자 성능 개선에 필요한 CD 정밀 제어가 실현됐다.

3D 낸드 소자는 새로운 세대로 나아갈 때마다 더 깊게 식각해야 하기 때문에 식각 프로파일의 균일성이 중요하다. Vantex 기술은 식각의 수직 각도를 제어해 이러한 3D 소자 피처에 필요한 엄격해진 배치 조건을 충족하며 300밀리미터(mm) 웨이퍼 전반에 걸쳐 높은 수율을 달성하게 한다.

램리서치의 바히드 바헤디 부사장은 “램리서치는 고종횡비 식각 분야에서 10여년 이상 업계 선두를 지켜오면서 쌓은 독자적인 노하우를 바탕으로 준비단계부터 향후 여러 노드의 확장성과 혁신을 염두에 두고 Vantex 챔버를 설계했다”며 “Vantex는 성능 및 생산성의 기준을 재정의하였고, 고객들은 이 혁신적인 식각 기술을 활용하게 될 것”이라고 말했다.

Vantex는 램리서치의 주요 메모리 고객들이 적격성을 평가할 수 있도록 Sense.i 플랫폼에 탑재돼 납품된다. 2021년에는 재주문을 통해 대량 생산할 예정이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr


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