D램도 'EUV 시대'…삼성전자·SK하이닉스, 내년 본격 적용

2020.10.07 14:03:59 / 김도현 dobest@ddaily.co.kr

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[디지털데일리 김도현기자] 위탁생산(파운드리) 라인에서 시작된 극자외선(EUV) 공정이 활용범위를 확대한다. 삼성전자와 SK하이닉스는 D램에 해당 기술을 활용한다.

7일 시장조사업체 트렌드포스는 2021년 10대 기술·산업 트렌드 중 하나로 ‘D램의 EUV 공정 도입’을 꼽았다.

EUV는 파장 길이가 13.5나노미터(nm)로 첨단 공정에 활용된다. 기존 불화아르곤(ArF) 대비 14배 짧다. 짧은 파장 덕분에 미세한 회로를 그리는 데 적합하다. 얇은 붓을 쓰면 섬세한 그림을 그릴 수 있는 것과 같은 원리다.

삼성전자는 이미 EUV를 메모리에 도입했다. 지난 3월 1세대 10나노급(1x) DDR(Double Data Rate)4 D램 샘플 100만개 이상을 공급한 바 있다. PC, 서버 등에 적용되는 제품이다.

지난 8월에는 3세대 10나노급(1z) LP(Low Power)DDR5 모바일 D램 등이 생산되는 평택 2공장 가동을 시작했다. 내년에는 EUV 기반으로 4세대 10나노급(1a) 제품을 양산할 예정이다.

SK하이닉스도 뒤를 잇는다. 지난달 16일 EUV 분야 경력자 모집 공고를 올린 바 있다. SK하이닉스는 건설 중인 이천캠퍼스 M16 팹에 EUV 장비를 들인다. 이곳에서 1a D램을 만들 계획이다. 테스트를 거쳐 내년부터 본격 생산한다.

메모리 3위 업체 미국 마이크론은 적용 시점이 미지수다. 앞서 마이크론은 EUV 도입을 6세대 10나노급(1c) 이후로 늦춘 것으로 알려졌다.

한편 트렌드포스는 내년에 150단 이상 낸드플래시가 등장할 것으로 내다봤다. 선폭을 줄이는 D램과 달리 낸드는 적층 방식으로 성능을 향상시킨다.

현재까지 삼성전자와 SK하이닉스가 도달한 128단이 최대다. 삼성전자는 160단 이상 7세대 수직구조 낸드(V낸드), SK하이닉스는 176단 4차원(4D) 낸드를 준비 중이다. 인텔은 144단 낸드 생산을 앞두고 있다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr


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