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삼성전자가 48단 적층 기술로 기존 대비 용량을 두 배 키운 256기가비트(Gb) 3D V낸드플래시 양산에 성공했다고 11일 발표했다.

이 제품에는 데이터를 저장하는 3D 메모리 셀을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올린 48단 3세대 V낸드 기술이 적용돼 있다. 256Gb는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트(GB) 용량의 메모리카드를 만들 수 있다. 또한 기존 128Gb 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 '테라 SSD 대중화'를 위한 최적의 솔루션을 제공한다고 삼성전자는 설명했다.

이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시킨다. 셀마다 3비트(bit)의 데이터를 저장할 수 있는 트리플레벨셀(TLC) 방식이 적용돼 총 2560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 소비 전력량도 30% 이상 줄였다. 기존 32단 양산 설비를 최대한 활용함으로써 제품 생산성을 약 40%나 높여 원가 경쟁력도 대폭 강화했다고 삼성전자는 강조했다. 아울러 3세대 V낸드 생산을 위한 투자를 계획대로 추진해 나갈 예정이라고 밝혔다.

삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "3세대 V낸드 양산으로 글로벌 기업과 소비자들에게 더욱 편리한 대용량 고효율 스토리지 솔루션을 제공할 수 있게 됐다"며 "향후 V낸드 기술의 우수성을 최대로 발휘할 수 있는 초고속 프리미엄 SSD 시장에서 사업 영역을 지속 확대하며 독보적인 사업 위상을 유지해 나갈 것"이라고 밝혔다.

삼성전자는 기존 2세대 32단 TLC V낸드 기반의 대용량 SSD 모델을 글로벌 IT고객에게 공급한데 이어, 세계 각국의 현지 로컬 기업까지 공급을 확대 하는 등 용량과 성능을 높인 차세대 SSD 라인업을 지속적으로 출시할 예정이다. 또한 2테라바이트(TB) 이상의 소비자용 대용량 SSD도 새롭게 출시해 시장점유율을 지속적으로 높여나갈 계획이다.

<한주엽 기자>powerusr@insightsemicon.com



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