[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 세계 최초로 트리플레벨셀(TLC, 3비트) 3차원 V낸드플래시 메모리를 양산한다고 9일 밝혔다.

이번에 양산에 들어간 3비트 V낸드는 삼성전자가 올해 5월 세계 최초로 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품이다. 삼성전자는 경쟁사들이 아직 3D 낸드플래시도 양산하지 못하고 있다며 이번 3비트 기술 접목은 압도적 기술 우위를 다시 한 번 확인한 것이라고 설명했다. 삼성전자의 3비트 V낸드는 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash) 셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정을 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 저장 용량을 1.5배 확대했다. 이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성이 2배 이상 향상됐다.

지난 2012년 최초로 3비트 평면구조 낸드 기반의 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 양산해 3비트 플래시메모리 시장을 선점한 삼성전자는 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장을 더욱 확대시켜 나간다는 전략이다. 한재수 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 “3비트 V낸드는 하드디스크드라이브(HDD)에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것”이라며 “향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의 고성장세를 더욱 가속화 할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 3비트 V낸드의 본격 양산으로 기존의 고신뢰성 서버향 SSD에서 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 나감으로써 V낸드 글로벌 시장을 확대해 나갈 계획이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr



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