[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 14나노 3D 핀펫 공정이 적용된 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 양산을 앞두고 동일한 공정의 128메가비트(Mb) S램 개발에 성공했다.

D램보다 속도가 빠른 S램은 중앙처리장치(CPU)의 캐시 메모리로 사용된다. 해당 연구개발(R&D) 성과물은 14나노 핀펫 AP에 내장될 가능성이 높다. 128Mb(=16MB) 용량은 세계 최고 수준인데다 해당 제품의 셀 사이즈는 세계 최소 수준이라고 삼성전자는 강조했다.

삼성전자는 내년 2월 9일부터 13일까지 5일간 미국 샌프란시스코에서 개최되는 국제고체회로학회(ISSCC) 2014에 14나노 핀펫 공정의 S램 개발 논문을 공개한다(논문번호 13.2, 제목 A 14nm FinFET128Mb 6T SRAM with VminEnhancement Techniques for Low-Power Applications).

14나노 핀펫 공정의 S램의 개발 발표는 삼성전자가 처음이다. 이 제품의 용량은 128Mb, 셀 면적은 0.064μm2로, 용량은 최대, 크기는 세계 최소 수준이다. 고성능 동작이 필요한 대용량 메모리를 작은 면적으로 구현했다. 전체 AP의 다이(Die) 사이즈를 최소화하고 성능 개선에도 도움이 될 것으로 기대된다.

세계 최대 파운드리 업체인 대만 TSMC도 16나노 핀펫 공정의 128Mb S램을 개발하고 ISSCC에 관련 논문(논문번호 13.5 16nm FinFET128Mb SRAM)을 공개한다. TSMC는 차세대 3D 핀펫 공정으로 16나노를 밀고 있다. 이번에 개발한 S램의 셀 사이즈도 삼성전자 제품보다는 큰 0.073μm2이다.

CPU 캐시메모리로 사용되는 임베디드 메모리(S램)는 용량은 늘리고 셀 면적은 줄이는 방향으로 R&D가 이뤄지고 있다.

이런 관점에서 주목할 만한 발표는 바로 인텔의 임베디드 D램 기술에 관한 논문(논문번호 13.1 A 1Gb 2GHz Embedded DRAM in 22nm Tri-Gate CMOS Technology)이다. 22나노 트라이게이트 공정으로 제작된 1Gb 용량의 임베디드 D램은 올해 출시된 인텔 하스웰 프로세서에 적용됐다. 인텔의 22나노 임베디드 D램은 같은 용량 기준 S램 대비 셀 면적이 3분의 1로 적어 설계 공간 및 전력 절감이 가능하다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr


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