[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 중국 섬서성 서안시에 차세대 낸드플래시 생산라인을 건설하기로 했다.

22일 삼성전자는 이를 위해 섬서성 서안시와 양해각서(MOU) 체결을 위한 실무 협상을 시작한다고 밝혔다.

삼성전자는 지난해 12월 반도체 중국 진출을 지식경제부에 신청하고 올해 1월에 승인을 받은 바 있다. 삼성전자가 해외에 반도체 공장을 짓는 것은 1996년 미국 오스틴 지역 진출에 이어 두 번째다.

삼성전자는 서안시와 실무 협상을 마무리하고 중국 정부의 승인 절차를 완료할 경우 올해 안으로 생산라인 건설에 착수, 내년 말부터 가동에 들어간다는 계획이다.

우선협상을 시작하는 서안시는 반도체 라인 운영에 필요한 산업 용수와 전기 등 산업 인프라가 잘 갖춰져 있고 다양한 IT 기업들의 연구 거점과 유수 대학들이 있어 우수 인재를 확보할 수 있는 등 이점이 많은 곳이라고 삼성전자는 설명했다.

서안시를 위시한 중국 서부지역은 현재 글로벌 IT 기업들이 생산 거점으로 진출하고 있고, 중국 고객들이 지속적으로 확대되고 있는 신성장 지역이어서 전략 거점으로 성장할 전망이다.

삼성전자는 스마트폰, 태블릿에 이어 초경량 슬림 노트북 시장에서 수요가 대폭 확대됨에 따라 올해 고성능 대용량 10나노급 낸드플래시를 양산해 프리미엄 메모리 시장을 주도하고, 2013년부터는 중국에서도 10나노급 낸드 플래시 양산을 개시, 시장을 선점해 나갈 예정이라고 밝혔다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr


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